电子学/FET
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如今最常见的晶体管是 FET（场效应晶体管）。这类晶体管的特点是源极和漏极之间的电导依赖于栅极和源极端子之间所施加的电压。如果栅极到漏极电压也较高，且栅极到源极电压也较高，则这种依赖关系是线性的。如果栅极到漏极电压不足，它将变为平方律关系。
电路设计中出现的一个问题是，随着芯片尺寸的减小，绝缘体变得越来越薄，看起来像瑞士奶酪。因此，绝缘体开始像导体一样工作。这被称为漏电流。一种解决方案是用具有更高介电常数的材料代替绝缘体。
两种类型：增强型和耗尽型。增强型是标准的 MOSFET，其中必须通过施加电压来感应通道。耗尽型 MOSFET 具有植入的通道，施加电压会导致通道不再导电。
FET 晶体管对栅极和源极之间的电压偏置差异作出响应。
MOSFET（金属-氧化物-半导体 FET）：标准 FET
JFET（结型 FET）：当源极和漏极之间施加电压时，电流流动。只有当栅极施加电压时，电流才停止流动。
MESFET（金属-半导体 FET）：pn 结被肖特基结取代。不使用硅制成。
HEMT（高电子迁移率晶体管）：一种 MESFET
PHEMT（赝晶 HEMT）