微处理器设计/光刻
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目前制造处理器和小规模集成电路的最先进工艺是使用光刻。光刻是一个复杂的多步骤过程。
晶圆是一个大的圆形盘，通常由掺杂的硅制成。每个晶圆可以容纳多个芯片，排列成瓦片状。每个晶圆上的芯片数量称为产量。
在光刻中，通常有两种重要的化学物质：酸和抗蚀剂。将设计的负片曝光，并将图案投影到晶圆上。抗蚀剂被涂覆在晶圆上，它会粘附在暴露于光线的晶圆部分。一旦抗蚀剂被涂覆在晶圆上，它就会浸入酸中。酸会蚀刻掉没有抗蚀剂覆盖的任何一层。在顶层被溶解后，晶圆被清洗（以去除任何残留的酸和抗蚀剂），并在晶圆顶部涂覆一层新的掺杂硅。一旦新的硅层被涂覆，该过程就会再次重复。
前两种抗蚀剂的应用用于将基础硅晶圆的薄而仔细成形的区域转换为n型和p型w:掺杂 (半导体)（在这些步骤之后，没有净物质被添加或带走）。等等——我以为掺杂是在多晶硅被添加后发生的？那是一个额外的掺杂阶段，还是掺杂实际上不是前两个阶段？
之后，多晶硅、氧化硅和金属层被添加，覆盖整个晶圆。在添加每层所需材料后，使用抗蚀剂和酸来“图案化”该层，保留所需区域并去除该层的不需要的区域。
在设计中指定的所有层都应用后，晶圆被“切割”成单独的矩形“芯片”。然后对每个芯片进行封装。
...测试是在晶圆切割之前进行吗？之前和之后？...
- MOSIS (金属氧化物半导体实现服务) 可能是最古老的（1981 年）集成电路 (IC) 代工服务。许多 VLSI 学生将他们的芯片发送到 MOSIS 进行制造。