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纳米技术/STM/STM 尖端蚀刻

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钨丝在KOH中的STM尖端电化学蚀刻配方

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在我们开始之前,我们显然需要提醒用户一些显而易见的事情:在你使用完装置后清理干净 - 使用后,清空用于KOH的容器,并用去离子水 (DI) 彻底冲洗。KOH具有腐蚀性,因此使用后擦拭掉桌子/设备上的液滴。

  • 使用一根新切割的线 - 不要用手指接触线卷,因为油脂会污染它,影响以后的使用者 (有些人会在超高真空设备中使用钨丝,如果沾染了油脂指纹可能会造成很大损失,所以要小心)。
  • 准备 100 毫升去离子水 (DI) 中溶解 16.8 克 KOH 颗粒的溶液,或者使用塑料瓶中已配制好的溶液 (如果有)。
  • 用溶液将特氟龙杯填满。
  • 将针夹到支架上,将针设置为正极,将溶液设置为负极。
  • 将针浸入溶液中约 0.5 毫米 - 浸入越深,需要的时间越长...
  • 用大约 10V 和 2mA 的停止电流进行蚀刻。如果你认为没有任何反应发生,可以增加电压来突破潜在的氧化层。
  • 在显微镜下检查尖端,如果需要再次蚀刻 - 有时只是快速浸泡就可以起到奇效。

大约 50 毫升 KOH 溶液的容器可以有效地蚀刻大约 3 个尖端,然后蚀刻速度会开始变慢。当蚀刻速度下降时,搅拌液体,使新鲜的蚀刻剂进入反应区域。

尖端会在约 10 小时内被氧化物覆盖。可以通过冲洗少量 KOH 溶液来清除氧化物,或者在氧化物较厚的情况下,可以通过再次进行快速电化学蚀刻来清除氧化物。蚀刻后,尖端上会残留一层薄薄的液体 - 用去离子水清洗并在热空气中干燥通常会有所帮助。

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