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半导体电子学/二极管/结构和工作原理

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二极管结构

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二极管是由两个等效掺杂的P型和N型半导体连接而成。当它们连接在一起时,会发生一个有趣的现象。P型半导体具有过量的空穴,呈正电荷。N型半导体具有过量的电子。在P型和N型区域的接触点,P型中的空穴会吸引N型材料中的电子。因此,电子会扩散并占据P型材料中的空穴。导致靠近结点的N型区域中的一小部分区域失去电子,并表现为本征半导体材料,在P型中,一小部分区域被空穴填满,并表现为本征半导体。

这个薄的本征区域称为耗尽层,因为它耗尽了电荷(参见上图),因此具有很高的电阻。正是这个耗尽层阻止了多数载流子的进一步扩散。从物理角度来说,耗尽层的尺寸非常薄。

二极管偏置电压

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零偏置

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当二极管处于零偏置状态时,即没有偏置,它只是保持原样。几乎没有电流通过二极管。但是,如果您连接二极管的阳极和阴极,您可能会观察到微小的电压或电流,这些电压或电流微不足道。这是因为我们环境中默认存在的电磁频谱(微波背景、热量、光、无线电波)会击落构成电流的半导体晶格中的电子。出于实际原因,这种电流可以认为是零。

反向偏置

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在反向偏置中,P型区域连接到负电压,N型区域连接到正极,如上图所示。在这种情况下,P型中的空穴被来自电池/电池的电子填充(换句话说,空穴被吸出二极管)。N型材料中的电子被电池的正极吸出二极管。因此,二极管会耗尽电荷。因此,最初耗尽层会变宽(参见上图),并占据整个二极管。二极管提供的电阻非常大。在反向偏置中流动的电流仅由少数载流子引起,在硅中为纳安培,在高功率硅和锗二极管中为微安培。

正向偏置

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在正向偏置中,二极管的P区连接到电池的正极,N区连接到负极。在正向偏置期间,会发生以下过程。电池的正极将更多空穴泵入二极管的P区。负极将电子泵入N区。P区和N区中的过量电荷会对耗尽层施加压力,使其收缩。随着电压升高,耗尽层会变得越来越薄,因此二极管会提供越来越小的电阻。由于电阻减小,电流会随着电压增加(尽管不是成正比)。

在某个特定的电压水平Vf(称为阈值/触发/截止电压)时,耗尽层会消失(被电荷淹没),因此从这一点开始,二极管开始非常容易地导通。从这一点开始,二极管电流会随着施加的电压呈指数增长。

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