半导体电子/场效应晶体管/简介

FET 或场效应晶体管是一种与 BJT 功能类似的器件，但其工作原理有所不同。BJT 是一种电流控制型器件，即流经集电极的电流是基极电流的函数 $I_{c}=f(I_{b})\,$ 。而在 FET 中，流过它的电流由电压控制。

FET 与 BJT 相似。它有一个源极，类似于 BJT 的发射极。它有一个漏极，类似于 BJT 的集电极，还有一个栅极，类似于 BJT 的基极。FET 中的电流从源极流向漏极，并且是栅极和源极之间施加电压的函数 $I_{FET}=f(V_{GS})\,$ 。

FET 通常具有非常高的输入阻抗，范围从几欧姆到兆欧姆。它具有更简单的结构，并且易于集成到集成电路中。FET 比 BJT 具有更高的温度稳定性。以下是不同类型的 FET：