半导体/二极管从工程的角度
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PN 结在电气工程中作为二极管很有用。二极管具有各种用途,包括:- 防止电流在一个方向流动,而在另一个方向流动- 稳压(在反向偏置时使用)- 电压相关电容(在反向偏置时使用)
如前一章所述,二极管是在 P 型半导体和 N 型半导体的物理界面处构建的。当这两个区域相遇时,由于结处的浓度差异,空穴和电子在结处扩散
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空穴和电子在 P 型和 N 型掺杂半导体之间的结处漂移。
这种扩散不会无限期地持续下去。相反,当电子扩散到 P 端,空穴扩散到 N 端时,会产生电荷不平衡,从而产生一个电压,最终阻止任何进一步的扩散发生。该电压是二极管的固有特性,取决于 P 端相对于 N 端的掺杂量。由此产生所谓的内建电势,$V_{bi}$。
- 当二极管受到外部电场作用时,则称其为偏置。- 如果电场方向与内建电压相反,则会抵消扩散,使耗尽区变薄。这被称为正向偏置。
- In addition to counteracting diffusion, forward biasing also injects charge carriers (holes and electrons) into the P and N regions of the diode. This encourages further diffusion from P to N, leading to current flow.
- 但是,如果电场方向与内建电压相同,则会促进扩散,使耗尽区变厚。这被称为反向偏置。
- In this mode, charge carriers are injected into the opposite regions of the diode (holes in N and electrons in P), where they instantly recombine. This prevents any current flowing, up to a certain point.
在分析二极管时,可以使用许多模型,包括
在理想二极管模型中,存在两种状态:开和关。在开状态下,二极管充当短路,允许任意数量的电流流过,并将两端之间的电势强制为 0。在关状态下,二极管充当开路,因此电流无法流过二极管。
在电压降模型中,同样存在两种状态:开和关。关状态与上述相同;电路阻止任何电流流过。然而,在开状态下,二极管充当电压源,在两端之间保持恒定的电压,等于其内建电压。
在经验模型中,我们将二极管视为由 $I = I_s (e^{\frac{V_f}{V_T}}-1)$ 控制的电路元件,为我们提供了一个指数曲线。该模型通常需要数值迭代来评估。
在 VRC 模型中,我们将二极管建模为电压源、电容器和电阻器。这通常用于二极管处于反向偏置时。
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