半导体/场效应晶体管

本页将介绍场效应晶体管，它们的制造方式、工作原理及其基本特性。

场效应晶体管 (FET)

场效应晶体管 (FET) 利用栅极 (G) 终端上的电势产生的电场，在漏极 (D) 和源极 (S) 终端之间创建一个导电通道。

FET 与 BJT 的比较

FET 比 BJT 更加稳定，线性度更高，噪声更低，输入阻抗非常高，输出阻抗比 BJT 低得多，因此其功耗低于 BJT。