半导体/可变电阻

MOSFET 在线性区的漏极电流由以下公式给出。

$IDS=\mu Cox{\frac {W}{L}}(VDS(VGS-VT)-{\frac {W}{L}}VDS^{2})$

因此，对于处于线性区的晶体管，随着 VDS 的减小，VDS 平方项的影响逐渐消失。对于足够小的 VDS，电流与 VDS 成正比，比例系数为

$GDS=\mu Cox{\frac {W}{L}}VDS(VGS-VT)$

电阻由下式给出

$RDS={\frac {1}{\mu Cox{\frac {W}{L}})(VGS-VT)}}$

因此，电阻受 VGS 控制。通过这种方式，可以使用晶体管实现可变电阻。