半导体/齐纳二极管
齐纳二极管是一种二极管，它允许电流像普通二极管一样向前流动，但也允许电流在反向流动，如果电压大于额定击穿电压或“齐纳电压”。该器件以克莱伦斯·齐纳的名字命名，他发现了这种电气特性。
传统的固态二极管如果反向偏置低于其反向击穿电压，则不会让大量电流流动。通过超过反向偏置击穿电压，传统的二极管会因雪崩击穿而承受高电流流动。除非外部电路限制此电流，否则二极管将永久损坏。在大的正向偏置（电流沿箭头方向流动）的情况下，二极管由于内部电阻而表现出压降。压降的大小取决于二极管的设计。
齐纳二极管表现出几乎相同的特性，除了该器件是专门设计的，以使击穿电压大大降低，即所谓的齐纳电压。齐纳二极管包含一个重掺杂的 p-n 结，允许电子从 p 型材料的价带隧穿到 n 型材料的导带。反向偏置的齐纳二极管将表现出受控击穿，并让电流流动以使齐纳二极管上的电压保持在齐纳电压。例如，一个齐纳击穿电压为 3.2 伏的二极管，如果反向偏置，将表现出 3.2 伏的压降。然而，电流不是无限的，因此齐纳二极管通常用于为放大级产生参考电压，或用作低电流应用的稳压器。
击穿电压可以在掺杂过程中非常精确地控制。公差可以达到 0.05%，尽管最广泛使用的公差是 5% 和 10%。
另一种产生类似效果的机制是雪崩效应，如雪崩二极管中所见。这两种类型的二极管实际上是采用相同的方式制造的，并且两种效应都存在于这种类型的二极管中。在硅二极管中，高达约 5.6 伏，齐纳效应是主要的效应，并表现出明显的负温度系数。在 5.6 伏以上，雪崩效应变得占主导地位，并表现出正温度系数。
在一个 5.6 伏的二极管中，两种效应同时发生，它们的温度系数相互抵消，因此 5.6 伏的二极管是温度敏感应用的首选器件。
现代制造技术已经生产出电压低于 5.6 伏的器件，其温度系数可以忽略不计，但随着遇到更高电压的器件，温度系数会急剧上升。一个 75 伏的二极管的系数是 12 伏的二极管的 10 倍。
所有这些二极管，无论击穿电压如何，通常都在“齐纳二极管”这个总称下销售。
