微技术/添加工艺

添加工艺

在晶片上添加材料的工艺。

氧化

微技术中的氧化通常指的是硅的氧化。在硅晶片表面形成的二氧化硅层可以轻松地进行图案化。可以通过 热氧化 或 沉积 来创建 SiO₂ 层。

化学气相沉积 (CVD)

• 化学气相沉积和等离子体增强 CVD

物理气相沉积 (PVD)

• 物理气相沉积 (PVD)

溅射沉积

• w:溅射
• 薄膜沉积

高能离子溅射靶材上的材料，这些材料通过等离子体扩散到基底，并在基底上沉积。阴极周围没有强烈的等离子体辉光，因为等离子体需要一定的距离才能由溅射过程中产生的少数次级电子触发的电子雪崩产生。

电子束蒸发镀膜

• 电子束蒸发镀膜

外延生长

• 金属有机化学气相外延 (MOVPE)
• 分子束外延 (MBE) 使用固体源和 化学束外延 (CBE) 使用气体源。
• 外延 总体而言。
• 原子层外延 仅沉积少数单层并与表面上的化学吸附位点键合。

电化学方法

电镀

• 电镀
• 标准反应电位表 标准还原电位

化学镀

• 化学镍镀
• 金属在硅上的电化学沉积
• Y. Okinaka，摘自 Glenn O. Mallory 和 Juan B. Hajdu 编辑的《化学镀：原理与应用》，第 15 章，美国电镀和表面处理协会 (1990)。

旋转

光刻胶和电子束光刻胶以及许多其他聚合物通常通过将化合物的挥发性溶液旋转到晶片上进行涂覆。

表面功能化

• 自组装单层 (SAM)
• 疏水 和 亲水 表面层，以控制 润湿性。

参考文献

另请参见关于编辑此书籍的说明，了解如何添加参考资料 Microtechnology/About#如何贡献。