电子学/定义

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(但我们只想要对二年级水平重要的东西。没有“正交幅度调制”或类似的东西。)

SI 单位和导出单位

按字母顺序排列的定义

另一个顺序可以是按主题进行定义，例如直流电、交流电、无线电、集成电路等。

交流电: 交流电。由两个不同电压之间的周期性振荡组成。通常被称为看起来像正弦波，但并不总是这样。

调幅: 幅度调制。在无线电通信中，一个信号控制着一个载波波的幅度，该载波波的频率更高且恒定。载波波被滤除，扬声器根据信号的幅度播放。

安培（A）: 电流I的 SI 单位。（通常称为“安培”、“毫安培”等）安培正式定义为恒定电流，如果保持在两条无限长的直平行导体中，导体截面圆形且可忽略不计，并且在真空中相隔一米，那么这两个导体之间将产生等于每米长度 2×10^-7 牛顿的力。还有另一个定义是基于银的沉积速率（在电解中？），这更容易测量。其他电子学单位是基于安培定义的导出单位。

放大: 增加信号的强度。通常使用“放大器”来传递具有增益增加或减少的信号。

阳极: 电子收集器。表示从负电压到正电压的路径向上。阳极相对于阴极具有更正的电压。

衰减: 减弱信号的强度。

带通滤波器: 一种模拟滤波器，它吸收低频 (f) 和高频，但允许中间的一段频率通过。

双极结型晶体管: 双极结型晶体管。一种晶体管，其中通道的电阻由栅极的电流控制。可以看作是电流控制的电阻。FET是另一种主要的晶体管类型。

电容器: 一种电子元件，以电荷（静电）的形式存储能量。它抵抗电压的突然变化。

阴极: 电子发射器。阴极相对于其他地方具有更负的电压。

扼流圈: 电感器的另一个名称，特别指用于电源调节的电感器。

互补金属氧化物半导体: 互补金属氧化物半导体。互补是指它具有 N 通道和 P 通道晶体管。金属氧化物是栅极的类型。CMOS 是一种基于电压的集成电路 (IC) 类型，因为它是由 FET 制成的。数字电路往往使用非常小的电流，因为电流流动的路径在状态之间转换期间实际上是开路或闭路。

线圈: 一圈线（形状与弹簧或 Slinky 相同）。它的高度、宽度、厚度和材料都可以变化。用作电感器。线圈可以重叠。

电容器: 电容器的另一个名称。

电导: 电阻的倒数。以西门子（旧称摩）为单位测量，西门子是欧姆的倒数。1 S = 1/Ω = 1 A/V = 1 A²/W

库仑 (C): 电荷Q的 SI 单位。根据安培定义。1 库仑是 1 安培的电流流过 1 秒所携带的电荷量。它也大约是电子电荷的 6.24×10¹⁸ 倍。1 C = 1 A·s

电流: 电子在电场中的漂移。这被认为是流动。以安培为单位测量。

每秒周期 (cps): 赫兹的旧名称，赫兹是标准 SI 单位。顾名思义，它是在每秒完整波长周期中的频率测量值。cps 单位（或千周、兆周等）在较旧的文档中更常见。

分贝: 分贝。用于测量对数比率，例如信噪比 (SNR)、总谐波失真 (THD)、相对于标称水平的音量。类似于百分比 (%)，因为它没有单位。dB SPL 用于测量相对于 20 微帕斯卡 (µPa) 的声级。dBu 用于测量相对于 0.775 V 的电压。

直流电: 直流电。恒定电压和恒定电流在一个方向上流动。

二极管: 电流单向阀。半导体二极管在正向导通时通常具有 0.6 V（硅）或 0.2V（锗）的压降。

电动势 (E): 电动势。推动电子的力量。见电压。

以太网: 是一系列基于帧的计算机网络技术，用于局域网 (LAN)。它定义了标准网络模型的物理层的许多布线和信号标准，以及数据链路层下部的通用寻址格式和各种介质访问控制程序。

法拉 (F): 电容 (C) 的 SI 单位。如果电容器上的电荷为 1 库仑 (1 C)，电压差为 1 伏特 (1 V)，则电容器为 1 法拉。1 F = 1 C/V

场效应晶体管: 场效应晶体管。可以看作是电场晶体管。一种晶体管，其中栅极的电压控制着通道的电阻。（即 FET 具有电压控制电阻。）BJT 是另一种主要的晶体管类型。

调频: 频率调制。改变载波信号的频率以表示原始信号的幅度。

正向偏置: 通过某个部分的电压极性，使其导通电流。

频率 (f): 每单位时间的转数（周期）数。通常以每秒弧度或每秒周期 (Hz) 表示。

增益: 电压或电流的乘数。

接地: 接地定义为电路中电压为零的点。电压是相对的，并且在整个导体中都是相同的，因此电路中的任何一点都可以定义为接地，并且所有其他电压都以它为参考。通常，为了方便起见，它被定义为电路中最负的点。有时它在两个双极电源轨的中间定义，用于“平衡”电路。在许多情况下，该电路点通过一些埋在地下的导体连接到地球（接地）。

亨利 (H): 电感的 SI 单位。1 H = 1 Wb/A

赫兹 (Hz): 频率的 SI 单位。1 赫兹是每秒一个周期。1 Hz = 1/s

高通滤波器: 一种模拟滤波器，它吸收低频 (f) 但允许高频通过。

马力 (hp): 马可以施加的力F量。我认为它不再与马有关。1 hp = 746 W

集成电路: 集成电路。一个电路建在一片半导体芯片上，而不是作为离散元件。

阻抗: 电阻的更广义形式。器件的阻抗随施加电力的频率而变化。理想电阻器在所有频率下都具有恒定阻抗。电容器和电感器的阻抗在不同频率下会发生变化。以欧姆为单位测量。

电感器: 电感器是一种存储能量的器件。它阻碍电流流动的突然变化。螺线管通常形状像弹簧或 Slinky。

焦耳 (J): 对 1 米 (1 m) 施加 1 牛顿 (1 N) 的力所需的功。1 J = 1 N·m

光控硅控整流器: 光控硅控整流器。一种光控 SCR。

光敏电阻: 光敏电阻。随着光强度的增加，其电阻减小。

长度 (l): 距离以米 (m) 为单位测量。

低通滤波器: 一种模拟滤波器，它吸收高频 (f) 但允许低频通过。

磁控管: 一种特殊的真空管形式，通常用作微波炉中的微波发射器或雷达系统中的微波发射器。

米 (m): 距离的 SI 单位。光在 1/299,792,458 秒内传播的距离。

金属氧化物半导体场效应晶体管: 金属氧化物半导体场效应晶体管。一种使用薄层氧化物（通常是硅）将栅极端子与下面的通道绝缘的FET

欧姆 (Ω): 电阻或阻抗的测量单位。1 Ω = 1 V/A = 1 W/A²

运算放大器: 运算放大器的简称。运算放大器放大其两个输入之间的电压。

氧化: 一种物质失去电子的反应。鉴于氧气会从大多数元素中剥夺电子，这在历史上意味着涉及氧气的反应。阴极（电子发射器）在失去电子时会不断氧化。

印刷电路板: 印刷电路板。这是一块塑料或玻璃纤维，上面附着铜。铜通常被化学蚀刻掉，留下“走线”供电力通过。其他电子元件焊接到走线上。

周期: 周期波两个周期之间的间隔。

PM¹: 相位调制。通过修改相对相位来发送信息。

PM²: 脉冲调制。以二进制脉冲的形式发送信息。

功率: 电压乘以电流。电路正在完成的工作量。

整流: 将交流电转换为直流电。

氧化还原: 氧化和还原同时发生的反应。阴极（电子发射器）被氧化（失去电子）。电子移动并被接受电子的阳极（电子接受器）吸收，阳极被还原（获得电子）。

还原: 一种物质获得电子的反应。在获得电子时，其电荷值会降低。阳极（电子接受器）在获得电子时会不断还原。

电阻: 阻碍电子流动的电路特性。电阻将电能转换为以废热形式释放的光子。电阻以欧姆为单位测量。

反向偏置: 某个部分上的反向电压极性。

均方根 (RMS): 交流值的有效直流值。

硅控整流器: 硅控整流器。

秒 (s): 时间的 SI 单位。

SI: 标准单位制。

表面贴装技术: 表面贴装技术。这是一种在 PCB 上构建的电路，其元件直接焊接到表面上的焊盘上，而无需穿过电路板。元件和电路板通常比通孔板更紧凑。

光速: 光速取决于它所传播的介质。最大速度为c，即299,792,458 m/s，仅在真空中才能达到。在特殊介质中，光速可以减慢到低于17 m/s（约40 mph）。

波传播速度 (v): 电磁波通过空气、电缆或导线传播的速度。典型同轴电缆的典型速度为 (2/3)·c。

热敏电阻: 温度敏感的电阻器。温度升高时电阻降低。

晶闸管: 一种电子开关。它有两个状态，由另一个电压或电流触发。可控硅和开关晶体管是晶闸管的例子。

特斯拉 (T): 磁通密度的单位。1 T = 1 Wb/m²

通孔: 这意味着电路是建立在一个PCB上，PCB上钻有孔，用于组件引线穿过。引线在电路板的另一侧焊接。

时间 (t): 时间以秒 (s) 为单位的符号。

变压器: 用于升高或降低两个电路之间的交流电压。这取决于两个耦合电感器之间匝数的比例。变压器通过两个电感器之间的感应来工作。

三极管: 一种三极电子管。

TTL: 晶体管-晶体管逻辑

伏安 (VA)

交流电压 (VAC): 交流电压

无功伏安 (VAR): 无功电压。

可变电阻器: 一种带可移动抽头的变压器，用于提供可变输出电压。也称为“调压器”。

伏特 (V): 电场产生的电位。一伏特定义为通过一个电阻器的电位差，该电阻器通过一个安培并消耗一个瓦特。1 V = 1 W/A

伏特

(更改以演示子节标题)

电场产生的电位。一伏特定义为通过一个电阻器的电位差，该电阻器通过一个安培并消耗一个瓦特。1 V = 1 W/A

电压 (V): 两个电荷之间的电场。类似于重力，它充当电位。以伏特为单位测量。

V_CC

共集电极电压源 (+)。这是在基于BJT的电路（如共集电极放大器）的电子图中为电源提供的另一种标签。（还有 V_EE、V_DD、V_SS，我们是否要为每个都设置一个？）如果将它们组合在一起，这可能会有用。

瓦特 (W): 功率 (P) 的度量单位。一瓦特等于一秒钟 (1 s) 内完成一焦耳 (1 J) 的功。1 W = 1 J/s

波长 (λ): 波的两个波峰之间的距离。

韦伯 (Wb): 磁通量的单位。1 Wb = 1 V·s

待合并

来自“电子学概述”的冗余内容，应该与这些定义合并

电荷：粒子可以具有三种可能的电荷类型：正电荷、负电荷或中性（无电荷）。电子带负电，质子带正电，中子（不出所料）带中性。相反的电荷往往会相互吸引，而带相同电荷（正电或负电）的粒子往往会相互排斥。

电：电子的流动。

电子学：是研究使用电的装置的学科，通常是创建或处理信号，而不仅仅是切换电源。

???是通过使用电来接收输入，执行某些功能并返回某些输出的设备。

电路：电子在被某个电源推动时所走的路径，通过小工具中的各种电气元件流动并返回到电源。

电场：电荷存在时产生的场。该场代表正电荷将感受到的力。

电压：加速电荷。

电压是由于负电荷和正电荷分离而产生的类似重力的势。电压加速带负电的电子从负电荷到正电荷，并加速带正电的质子和离子朝另一个方向移动。推动加速电荷，称为电流。

电阻：当移动的电子（电流）与原子碰撞时，能量会以热量的形式释放。电阻是衡量材料导致这种能量损失的趋势的指标。电阻作用于限制由于给定电压而导致的电流流动。当电阻变为无穷大时，电流停止流动并变为开路。当不存在电阻时，电路短路，电流变为无穷大。（电流“偏好”电阻尽可能低的路径。）

空气的电阻高于导线。

电阻器：主要用于提供电阻的器件。

短路：两点之间不存在电阻。电流在没有电压变化的情况下流动。

开路：两点之间存在无限电阻。电流无法流动，但在两点之间仍存在电压。

电压源产生电压，从而产生电流。

电流源，产生电流和电流的电压。

电压降当电流通过电阻时，它会失去一些电压的推动。

当电流到达交叉点时，它可以走多条路径，并根据电阻流动。

介电常数：(ε)衡量材料响应电场吸收的能量多少的指标。材料 (ε_r) 比真空 (ε₀) 吸收更多能量。材料的介电常数称为其介电常数。

电池：两种材料，它们之间存在电压差。

电容器：两块金属板，它们之间存在间隙。电压导致电荷从一块板排出并积累在另一块板上。这种电荷分离在电容器中产生一个电压，该电压与另一个电压相反，并阻止电流流动。当将电介质放置在板之间时，它会削弱板之间的电场，并允许积累更多电荷。

电容：任何两块导电材料只要相隔一定距离，就会具有电容。简而言之，衡量某种金属配置充当电容器的趋势的指标。

电感器：线圈。电流开始流过导线并产生磁场。该磁场产生一个相反的磁场，该磁场阻止电流流过导线。随着时间的推移，电感器停止抵抗电流并变成导线。

变压器两个连接的电感器，它们通过互感工作。电流流过第一个电感器并产生一个磁场，该磁场被馈送到第二个电感器。作为响应，第二个电感器产生一个相反的磁场和电流。在两个电感器之间放置永久磁铁会增强它们的磁场。

电子管:真空中的两个或多个电极的排列。通常放置在玻璃灯泡中，以防止空气泄漏。

三极管:第一个电气放大装置。三极管是一种带三个连接的电子管。

阴极发射电子。
阳极接收电子。
栅极位于中间，用于控制从阴极到阳极的电子流动。

二极管：一种 2 线器件，允许电流仅在一个方向上轻松流动。

晶体管:一种 3 线器件，其中一根线（“基极”或“栅极”）控制两根线之间电子的流动。取代了电子管。

光波:（电磁波）